Seiffedine Fakhfafk reçoit le prix "GAAS Association"

Seiffedine Fakhfafk reçoit le prix « GAAS Association »


Son travail de doctorat sur les technologies HEMT GaN récompensée

Seiffedine Fakhfafk reçoit le prix « GAAS Association »

Seiffedine FAKHFAKH, doctorant au sein du laboratoire XLIM (Axe Systèmes RF –  Équipe CCSNL), a reçu le prix « GAAS Association » pour ses travaux intitulés : « On-Wafer Time-Domain and Low-Frequency Measurements of GaN HEMTs for Accurate Trap Modeling and its Impact on Pulse-to-Pulse Stability » présentés lors de la conférence IEEE INMMIC* à Brive La Gaillarde, France en juillet 2018.

Il travaille actuellement sur une thèse intitulée « Nouvelles méthodes de mesure temporelle et de modélisation non linéaire électrothermique des effets de piège dans les technologies HEMT GaN pour l’étude de la stabilité pulse à pulse dans les applications radar« .

* INMMIC : The International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetrewave Circuits

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