Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface (SPCTS)

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Accueil du site > Axes de recherche > Axe 3 "Organisation structurale multiéchelle des matériaux" > Hétérostructures épitaxiales

Hétérostructures épitaxiales

Contact

Alexandre BOULLE : alexandre.boulle unilim.fr


Contexte/objectifs

Les défauts et les déformations conditionnent de façon déterminante les propriétés d’usage des matériaux. Dans le cas d’hétérostructures (couches minces ou épaisses, multicouches...) obtenues par croissance épitaxiale, ceux-ci sont induits par le désaccord de réseau couche/substrat et les mécanismes de relaxation associés. Notre activité vise à caractériser finement les défauts et déformations dans ces hétérostructures par diffraction et diffusion diffuse des rayons X.

Carte de l’espace réciproque du nœud (004) d’un monocristal de 3C-SiC irradié (tige de déformation « D ») et contenant des fautes d’empilement dans les plans 111 (tiges diffuses « SF »)


Activités

  • Caractérisation de couches minces et monocristaux par diffraction et diffusion diffuse des rayons X (laboratoire et synchrotron)
  • Étude de la diffusion diffuse induite par des défauts structuraux (fautes d’empilement, dislocations...)
  • Détermination des déformations et gradients de déformations
  • Cinétiques et mécanismes de transition de phases dans des monocristaux de SiC (collaboration LMGP Grenoble et IP’ Poitiers)
  • Cinétiques et mécanismes d’endommagement dans des monocristaux irradiés (collaboration CSNSM Orsay)


Faits marquants

  1. D. DOMPOINT, A. BOULLE, I. GALBEN-SANDULACHE, D. CHAUSSENDE, L. T. M. HOA, T. OUISSE, D. EYIDI, J. L. DEMENET, M. F. BEAUFORT, J. RABIER
    Kinetics of the 3C-6H polytypic transition in 3C-SiC single crystals : a diffuse X-ray scattering study
    J. Appl. Phys. 110, 2011, 053508 1-8

  2. A. BOULLE, A. DEBELLE
    Strain profile determination in ion implanted single crystals using generalized simulated annealing
    J. Appl. Cryst. 43, 2010, 1046-1052

  3. A. BOULLE, D. DOMPOINT, I. G. GALBEN-SANDULACHE, D. CHAUSSENDE
    Quantitative analysis of diffuse X-ray scattering in partially transformed 3C-SiC single crystals
    J. Appl. Cryst. 43, 2010, 867-875

  4. A. BOULLE, J. AUBE, I. G. GALBEN-SANDULACHE, D. CHAUSSENDE
    The 3C – 6H polytypic transition in SiC as revealed by diffuse X-ray scattering
    Appl. Phys. Lett. 94, 2009, 201904 1-3

Mis à jour le 3 avril 2012

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